Рабонш характеристики

Типовые характеристики

т т : 00

РГ ]DI 0,1 1

-75 -Z5 ZD 75 125 175

1D00

0,01 01 1

Зависимость коэффициента усиления по току для малого сигнала от коллекторного тока.

Зависимость коэффициента усиления по постоянному току от температуры.

Зависимость частоты единичного коэффициента усиления от коллекторного тока.

г! 1

08

i ОБ ь- D.1

-0,6 0,8

-200 -100 О 00 200 сдвига,w 8

Заыи-имость дрейфа напряжения сдвига от начального напряжения сдвига.

0,5 0,1

0,001 0,01 0,1 1 10

Зависимость напряжения между базой и эмиттерсйи во включенном состоянии от коллекторного тока.

S- 0,1

0,01 D,OOI

001 Q,1 ) 10

Зависимость входно. u сопротивления для малого сигнала h от коллекторного тока.

0,001 0,01 0,1 1

0,01

0,Q01 0 01 01 I 1Э

o,ffl 0.1 J to wo

Частота /.чГч

Зависимость выходной проводимости для малого сигнала от коллекторного тока.

Зависимость напряжения насыщения между коллектором и эмиттером от коллекторного тока.

Зависимость входного напряжения шума от частоты.

Типовые характеристики (продолжение)

0,01

а,1п 0,1 1 10 m Частота /,нГц

Зависимость шумового тока базы от частоты.

Зависимость коэффициента шума от коллекторного тока.

а 10 20 90 <q л

Зависимость емкости коллектор - коллектор от обратного напряжения смещения.

30 & 20

ас ж

и ш го за о т

Зависимость емкости коллектор- коллектор от напряжения между коллектором и подложкой.

51 0,2 0J 01 05 05 НапрямениЕ обратного смгщения.В

Зависимость емкости перехода эмиттер-база от напряжения обратного смещения.

о О 20 30 10 SS Нзпрямениг ойратиогз снещения

Зависимость емкости перехода коллектор - база от напряжения обратного смещения.

с

0,1 0,01

25 60 ?5 100 12S

Зависимость утечки перехода коллектор - база о температуры.

25 50 75 100 12S Гл.С

Зависимость утечки емкости коллектор - коллектор от темпера* туры.

о 200 10О 606 S0O кнм время.ч

График долговременной Стабильности напряжения сдвига при высокой температуре.

fl.6

5 0,3 I v

1-0.1

i-D,5

10- 10 10-

lO * 10

Согласованность характеристик переходов эмиттер - база.

Схема соединений (металлический корпус, вид сверху). Порядковый номер LM194H, LM394H, LM394BH или LM394CH, см. корпус типа Н06С фирмы National Semiconductor.

Зремя (см графич) Низкочастотный шум диффе-

ренциальной пары

Элемент должен находиться в спокойной воздушной среде для того, чтобы разность температур в дифференциальной паре поддерживалась с точностью не хужеО,0003°С. кэ1 В, /к=100 мкА, Я„ = 100 Ом; / - ширина полосы =0-10 Гц, /=1 с/ /дел.; 2 - ширина полосы = = 0-1 Гц, / = 10 с/дел; 3 - ширина полосы = 0-0,1 Гц, =1 мин/дел.

Монолитные операционные усилители с входами на полевых транзисторах с р - л-переходом LF155/LF156/LF157

(National Semiconductor)

LFI55, LF155A. LF255, LF355, LF355A, LF355B с малым потребляемым током LF156, LF156A, LF256, LF356, LF356A, LF356B широкополосные LF157, LF157A, LF257, LF357, LF357A, LF357B широкополосные с неполной компенсацией (Х[/(мин)=5)

Июнь 1977 г. ЛТ С -переходом

ИСТОН

Затвор

Ионный имгтлантанг Биполярно - попевая технология

Общее описание. Это первые монолитные ОУ с входами на полевых транзисторах с р-rt-переходом, которые объединяют в одном кристалле высоковольтные полевые транзисторы с р-п-переходом и стандартные биполярные транзисторы (биполярно-полевая технология). Эти усилители характеризуются малыми входным током смещения и током сдвига, небольшим напряжением сдвига и малым дрейфом этого напряжения, а также возможностью регулировки сдвига, которая не ухудшает величину дрейфа или коэффициент ослабления синфазного сигнала. Они имеют также высокую скорость нарастания, широкую полосу пропускания, очень малое время установления, малые шумовое напряжение и шумовой ток и малый уровень шума 1 , ф 1977 National Semiconductor Corp.

Достоинства:

, Заменяют собой дорогие гибридные ОУ на полевых транзисторах и функциональные модули ОУ на полевых транзисторах

, Полевые транзисторы с р - п-переходом не требуют той осторожности в обращении, которая необходима для приборов с МОП-транзисторами на входах

, Наилучшим образом подходят для систем с низким уровнем шума, использующих источник либо с высоким, либо с низким импедансом - малый угол наклона характеристики \lf.

, Регулировка сдвига не приводит к усилению дрейфа или уменьшению ослабления синфазного сигнала, как в большинстве монолитных усилителей

* Новый выходной каскад позволяет использовать высокоемкостные нагрузки (10000 пФ) без ухудшения стабильности

, Обеспечивается внутренняя коррекция, допускаются большие значения дифференциального входного напряжения

Области применения:

. Прецизионные быстродействующие интеграторы

. Быстродействующие цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи . Высокоимпедансные буфера

, Широкополосные, помехозашишенные, бездрейфовые усилители

. Логарифмические усилители

, Усилители фототока

, Схемы слежения - хранения

Общие свойства:

(LF155A, LF156A, LF157A)

Малый входной ток смещения

Малый входной ток сдвига

Высокое входное сопротивление

Малое входное напряжение сдвига

Малый температурный дрейф входногонапряжения сдвига

Малый входной шумовой ток

Высокое значение коэффициента подавления синфазного сигнала

Высокое значение коэффициента усиления напряжения постоянного тока

30 пА 3 пА 1012 Ом 1 мВ 3 мкВ/Х

0,01пА/ Гц 300 дБ 106 дБ

Особые свойства:

Очень малое время установления до уровня 0,01% Высокая скорость карастання Широкая полоса пропускания Малое входное напряжение шума

Упрощенная схема

*> LF157 емкость С = 2 пФ.

Выход

предельно допустимые вначения параметров

LF155A/6A/7A LF155/6/7

Напряжение питания Т

п (макс.( (корпус типа Н и Ji (корпус типа N) Рассеиваемая мощность

(Ррасс Р 2°) темпе.

ратурное сопротивление

(Qbo (Прим. 1)

(корпус типа Н) Р в

(корпуо типа J) Р

расе по расе по

(корпус типа N) Р

е

расе по

±22 В

670 мВт 15 0*С/Вт 670 мВт ИОС/Вт

Дифференциальное входное ±4 0 В

напряжение Диапазон входного напря- ±20 В

жеиия (Прим. 2) Продолжнтельиость корот- Продолжи-кого замыкания на выходе тельиое короткое замыкание

Температура хранения От -65

до +150°С Температура пайки (проДОл 300°С жительность пайки 10 е)

±22 В ISOG

670 мВт iSOC/Bi 670 мВт 14 0С/Вт

±4 0 В

±20В

Продолжительное короткое замыкание От -65 до +150°С ЗОО^С

LF355B/6B/7B

LF255/6/7

LF355B/6B/7B

±22 В

IISQ lOOQ

570 мВт ISO-C/Bt 570 мВт UOG/Bt 500 мВт ISSC/Bt ±4 0 В

±20 В

Продолжительное короткое замыкание От -65 до +150С ЗОО^С

LF355A/6A/7A LF355/6/7

±18 В

115°С ЮОС

570 мВт 150°С/Вт 570 мВт UO-C/Bt 500 мВт USX/Вт ±30 В

±16 в

Продолжительное корот. кое замыкание От -65 до +150С ЗОО'С

На схеме пропущена точка между выходом и резистором 25 Ом,-Ярил. ред.

продол жение