Эквивалентные схемы для измерения времени лфеключення

от 1.0 йо 100 рабочий цикл * 2%

>-1 ь

200 Ом

1 кОм

Ш 4:

I

1С

осц

от 1,0 до 100 мкс, рабочий ци л*27о

1 иОм

<гО НС

<10 пЧ> 200 Ом

Рис. 1. Время включения.

Время нарастания осциллографа <4 не; * полная шунтирующая емкость испытательного стенда, соединений и осциллографа.

<ЩлФ

Рис. 2. Время выключения.

6-48 - Переходные характеристики На рис. 3 - 8:-25°С,---100=С.

0,1 о; 0,3 0,5 w гд з,о 5,0 ю го зо за

Обр^ное напряжение, в Рис. 3. Емкости.

!0 7,0 5,0

3,0 2,0

10 0,7 0,5

0,3 0.2

IQ 20 30 50 70 100 ZOO 300 500 /к. mA

Рис, 4. Характеристика заряда

Рис. 5. Время включения. (Вторую строку ори Ui-.

строку сверху на рис. 5 следует читать; .= 10В.-Прим. ред.)

20

10 20 30 50

рис, 6. Время нарастания и воемя спада,

5 100

а 70 I 50

100 70 50

10 20 30 50 ТО ШО /к. мА

Рис, 7, Время хранения.

200 300 500

!0 20 30 50 70 100 мА

Рис. 8. Время спада.

200 300 500

Коэффициент шума 10

Характеристики малого сигнала

и^,=\0 В пост, тока, Г„ р=-25Х.

0,02 Oj05 0,1 0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 Ю 20 50 Частота /,кГц

Рис. 9, Влияние частоты.

М I I II / = 1.1! кГц

Я

,= 50мкА /к= 500 мкА

1нш1Ш|Я111Ш1!ап111111

III ITTTTI

50 100 200 500 IkOm 2 . Ом

5 10 20 50 100 кОм

Рнс. 10. Влияние сопротивления источника.

/i-параметры

63=10 В пост, тока, / = 1 кГц Гокр = 25°С.

Эга группа графиков иллюстрирует взаимосвязь между hji и другими Л-парамет-рами для транзисторов этой серии. Для получения этих кривых были отобраны элементы с высоким и низким коэффициентом усиления среди транзисторов типа 2N4400 и 2N4401, соответствуюш.ие номера элементов проставлены на каждом из графиков.

ZN14fl1 элемент 2 2М4400 элемен11 гМООзлементЗ

50кОм

0,2 ОД 0,5 0,7 1.0 2,0 5,0 5,0 7,0 10 ,мА (пост ток )

П 0.5 0,5 0,7 !,0 2.0 3.0 5,0 7,0 ) / , мА (ПОСТ ток )

Рис. п. Коэффициент усиления по току. Рис, 12, Входное сопротивление.

Й- 10 S7 7,0 е 5,0

0,7 0,5

ё- 0,3

;ZN4401 элемент 1; Шт элемент г-:2N4400 элемент г

12 0,3 0,5 0,7 1,0 2,0 3.0 1, мА (ПОСТ ток )

5,0 70 10

Рис. !J Коэффициент обратной связи во напряжению.

-Г5,0

2,0 1.0

=:2N!01 элемент): элемент 2 -2N1400 элемент iiimo з;1емент2

),1 0,2 о; 0,5 0,7 1.0 2,0 3,0 5.0 7,0 № / , мА (ппст ток )

Рнс. 14. Выходная проводимость.

Статические характеристики

,2 0,3 0,5 0,7 1,0

2,0 3,0 5,0 7.0 10

?(} 30 50 70

Рис. 15. Коэффициент усиления по постоянному току.

200 ЗОО 501

0,2 О

0,0! 0,03 0,03 0,05 0 07 0,1 0,2 0,3 0,5 0,7 1,0 2,0 3,0 5,0 7.0 10 20 30 50

Рис. 16, Область насыщения коллектора.

Ь 0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10 20 50 100 200 500

Рис. 17. Напряжения включенного состояния.

0,1 0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10 20 50 100 200 501 Рис. 18. Температурные коэффициенты.

Транзисторно-диодные матрицы (National Semiconductor)

Согласованная пара LM194/LM394

Общее опнсаиие Интегральные схемы LM194 н LM394 представляют собой монолитные согласованные пары транзисторов -/?- -типа с изоляцией переходом. Степень согласования транзисгоров значительно лучше, чем в обычных транзисторных парах. Она достигнута за счет улучшенной обработки элементов н применения новой структуры.

Электрические характеристики этих элементов, такие, как зависимость дрейфа от начального напряжения сдвига, шум и зависимость напряжения между базой и эмиттером от коллекторного тока, приближаются к соответствующим характеристикам идеального транзистора. Объемные сопротивления эмиттера и базы значительно ниже, чем у других, выпускаемых в насгоящсе время согласованных пар, монолитных или дискретных, благодаря чему обеспечивается очень низкий уровень шума и теоретическая возможность работы в широком диапазоне токов. Значения большинства параметров гарантируются в диапазоне токов от I мкА до 1 мА и в диапазоне напряжений между коллектором и базой от О до 40В, при этом почти во всех приложениях характеристики оказываются очень хорошими.

Чтобы обеспечить долговременную стабильность согласуемых параметров, к переходам база - эмиттер каждого транзистора подключены внутренние диоды-ограничители. Они предотвращают ухудшение характеристик, обусловленное обратным током через переход база - эмнттер, которое наиболее часто приводит к отказам согласованных пар Кроме того, паразитный изолируюшдй переход, образованный диодами, фиксирует напряжение подложки на уровне, равном напряжению болееот-рицательного эмиттера, и тем самым обеспечивается полная изоляция элементов.

Интегральные схемы LM194 и LM394 обеспечивают значительное улучшение ха рактернстик в большинстве приложений, для которых требуется хорошо согласован ная транзисторная пара. Во многих случаях можно полностью устранить регулировку, при этом будет повышена надежность и уменьшена стоимость. Помимо того, низкий уровень шума и высокое усиление привлекают внимание к этому элементу даже в тех случаях, когда степень согласования не является критичным параметром.

Интегральные схемы LMI94 и LM394/ LM394B/ LM394C выпускаются в 6-вывод-ных металлических корпусах типа ТО-5 с изолированным колпачком. Интегральная схема типа LM194 аналогична интегральной схеме типа LM394, за исключением более жестких электрических характеристик и более широкого температурного диапазона.

Деградация происходит при пробое база - эмиттер.- Прим, ред.

Параметры:

. Напряжения база -- эмиттер согласованы с точностью до 50 мкВ . Дрейф напряжения сдвига не превышает 0,1 mkb/X . Коэффициенты усиления по току (Лгхэ) согласованы с точностью до 2% , Коэффициент ослабления синфазной составляющей не менее 120 дБ . Значения параметров гарантируются в диапазоне коллекторных токов от 1 мкАлр 1 мА

, Очень низкий уровень шумов

, Повышенные эксплуатационные характеристики по сравнению с обычными согласованными парами

. Совместимость по установочным параметрам с используемыми в настоящее время элементами

Типовые применения

100 kOu %

Т

-15 В(стзбил)

1/2 LM394 1Дк0м 5%

150лО<

Недорогая схема для точного вычисления квадратного корня: /вых =

* 150 кОм, регулируется для обеспечения требуемой точности в полном диапазоне.

Недорогая схема для точного возведе* ния в квадрат: /вых = (Увх)*-* Регулируется для обеспечения требуемой точности в полном диапазоне. (Конденсатор в цепи ОСОУ 300 пФ.- Прим. ред.

Предельно допустимые значения параметров

Коллекторный ток

Напряжение между коллектором и эмиттером LM394C

Напряжение между коллектором и базой LM394C

Напряжение между коллектором и подложкой LM394C

Напряжение между коллекторами LM394C

Токи баз и эмиттеров

Рассеиваемая мощность

Температура перехода LM194 От

LM394/LM394B/LM394C От

Температурный диапазон хранения От

Температура пайки (продолжительность пайки 10 с)

20 мА 40 В

20 40 20

40 В 20 В 40 В 20 В ±10 мА 500 мВт

-55 до 4-125°С -25 до -f-SSC -65 до -f 150Х, 300°С

ектрическйе характеристики (ТпИйС)

Продолжение

Примечания: 1) напряжение между коллектором и базой изменяется от О до ( д^ при значениях коллекторного тока 1 мкА, 10 мкА 100 мкЛ и I мА, 2) параметры дрейфа напряжения сдвига U=0 при о^р - ° справедливы только при условии, что отношение kl к2 отрегулировано таким образом, что начальный сдвиг равен нулю. Это отношение должно поддерживаться с точностью 0.003% в полном температурном диапазоне. Измерения выполняются при 25°С н предельных значениях температуры, 3) согласованность характеристик определяется путем вычисления наиболее бпизкой к ним экспоненциальной функции и выражения ошибки в виде отклонения напряжения база - эмиттер от этой функции

Типовые применения (продолжение)

Быстродействующий логарифмический усилитель, L/gxlOB-0,1 мВ или /вх =liiA- Ш нА. Ru-тип Tel Labs 0,81+0,3%/Х; U =-~lgu{UJUon).

+15 в

15 кОм /?з

Управляемый напряжением усилитель с переменным коэффициентом усиления. * /?8-и Да обеспечивают не зависящее от температуры управление коэффициентом усиления; /(=-336L/i (дБ); искажения <0,1%; ширина полосы пропускания ~1 МГц; Диапазон регулировки усиления 100дБ, (В схеме опечатка: конденсатор С8=ЗпФ,-Я/эиж. ред.)

Типовые применения (продолжение)

Q Выхад

Прецизионный ОУ с малым дрейфом.

ДиапазонсинфазногосигналаравенЮВ; /с„<25 иА; /сдв<0,5нА; 1/,дв неотрег < <125мкВ; (Д[Уедв/АГ)<0,2мкВ/Х; КОСС>120дБ; Лу=2 500 ОСЮ;С=200 пФ для единичного коэффициента усиления; С=30 пФ для Л/7=10: С=5 пФ для Ki!= = 100; С= О для /( 1000.

/?5 50 кОм 1%

8 г Ом

ЩРегчлирОБна ноэффи-

П 50 Ом)%

50 нОм 1%

Высокоточный одноквадратнын умножитель /делитель. ъ\т-{))1) входы могут быть только положительными; * типичная нелинейность 0,1%.

ot5S

Входы

1В кОм 0,)%

10 ким и,1 л Ч,

Я5 г в * 5%, 1N457

j?4 8,гМ0м5%

гкОмО.1% Л го

- )иОм 0,)7.

о Выход

18 кОм 0,П*

ЬОм 0,1%

ЮкОм 0.1%

50 метзллонерамический -0-15В

Высококачественный измерительный усилитель. (В схеме опечатка. Нв=:4кОм. Прим. ред.)