Кремниевые диоды

1N914,A,B IN916,A,B

1N4148.49 1N4154

1 N4446-49

1N4531

1N4536

Эт* семейство кремниевых сигнальных диодов фирмы General Electric объединяет быстродействующие переключательные диоды для схем ЭВМ и схем общего назначения. В этих диодах используется окисная пассивированная планарная структура. Эта структура обеспечивает сочетание высокой проводимости в прямом направлении, коротквго времени восстановления, малой утечки и малой емкости с постоянством характеристик и повышенной надежностью. Диоды выпускают в корпусах двух типов: в миниатюрном корпусе с двойным теплоотводом и в обычном корпусе с миллитеп-лоетводФм.

Их электрические характеристики эквивалентны в каждом из двух различных типов корпусов (см. следующую страницу, где сгруппированы электрически эквивалентные типы для двух видов корпусов).

Днод .С миллитеплоотводом(мнв)

1N4531,1N4536

9.022

0.100

0.09О

мак

Катодный конец

D.060 0,055

т

Диод с двойным теплоошшрм (DHD)

OBMOI

1N914,A,B-,lN91bl 1N4146H9.54-,1N446-49

0.022 Щ9±

0,140 0.180

мах

*f,250*

т

0.0320,002 ?i J

Катодный- конец

0,07Д 0.060

Планарная эпитаксиальная пассивированная структура с управляемой проводи^ мость в процессе изготовления. Примечание: все размеры даны в дюймах (I дюйм равен 25,4 мм.- Прим. ред.); рассеиваемая мощность 500 мВт при 25°С; ухудшение параметра: 2,85 мВт/°С для температуры выше 25°С и до максимальной Та= 200°С.

Рис. !.

Примечание I: см рис. 7 для теплового сопротивления для коротких импульсов Примечание 2: эта номинальная мощио-ть обусловлена максимальной температурой перехода 200С.

Электрические характеристики (25°С) (если не указано иное)

Примечания: (I) максимальная емкость измеряется с помощью емкостного моста Boonton, moduli 75А, при уровне сигнала 50 мВ и обр™ максимальное время обратного восста-иовлення. /jjp=:lOMA. to6p= ~6 В, /?==100 Ом. восстановление до 1.0 мА (рнс 6); (3 максимальное прямое напряжение восстановления. -50 мА прямоугольный импульс, ширина импульса 0,1 мкс, скорость повторения от 5 до 100 кГц, время нарастания генератора 30 НС. (4) при 20 В и I ООХ также 3,мкА.

Максимально допустимые параметры (25°С) (если не указано иное)

1N914A, В iN916A, В

Обратное напряжение

Средний выпрямленный ток

Импульсный прямой ток

Постоянный прямой ток

Прямой импульс тока (длительность I мкс)

Мощность рассеивания

Рабочая температура

Температура хранения

Е

IN916,A,B-.

IN4H3 -

mutb

N44/19

IN-(531

0.2 Ofl 0.6 0,8 1,0 1.2 1.4 прямое напряжение 1/,5

Рис. 2. Типовое прямое напряжение измеряется через 25:3 мкс после включения тока.

20 40 60 80 100 120

Обратное иалрйкеиие йвйюянное), &

Рис. 3. Типовая хараетёрвСтика о9 ратного тока (25°С).

С

25 50 75 100 125 150

в- 1.В -

2. 2,3

2.г

2.1 2.0 t,9 1,8 -1,7 1,6 1,5 1,1 1.3 1,? 1.1

Рис. 4.

тока от

Типовая зависимость обратного температуры для всех типов

0.01

Рис, 5, Типовая зависимость емкости от обратного напряжения.

Конденсатор с пязнарными выводами

0,02

-1>н

проверяе-,0,0 мыи род у2.5 Ом I Дисковый -[1- [

[конденсатор j

0-30 8 пост тока о1 Остановка 4 /пр = 10 мА

Генератор импудьсов типа TektronixiiQ

или TehtroRixltl

Слаботочная слема измерения t

Сьемный

блок стробирования TeKtromx tvpe м.время нарастания £.о.Бнс

Рис 6.

1.2 t.O 0,8 0.6 0. 0,2 О

vi 10 10 \ 10 lOO

продолжитеibHOCTb мощного прямого прямо-jroJibHoro импульса, с

Рис. 7, Максимальное тепловое сопротивление перехода (теплоотвод расположен на расстоянии 6,35 мм от конца корпуса диода).

0,01 0,1

Рис. 8. Типовой температурный коэффициент для всех типов.

Оценка времени обратного восстановления при различных условиях возбуждения

Было пoкaзaнo), что время обратного восстановления кремниевого сигнального диода определяется некоторой величиной, называемой эффективным временем жизни т и отношением прямого и обратного тока Выражения для определения отрезков времени и 6 (показанных на рис. на стр. 430) не очень удобны для получения численных значений, зато во многих случаях достаточно иметь величину времени запаздывания. На рис. Ю показан графический метод решения уравнений для времени запаздывания, его лучше всего иллюстрирует следующий пример.

Требуется определить время восстановления для обратного тока 2 мА при усло-е:ш, что прямой ток равен 25 мА, а максимальный обратный ток равен 20 мА.

Решение: на рис. 10 по вертикатьнойоси слева отметим точку /обр. i o6p. 2=20 /25=0,8 и проведем горизонтальную линию до пересечения с графиком зависимости

.4 2,2 2.0

1 1,8

I 1.6 -2

1.0 0.8 0.6

-50 -25 О 25 50 75

125 150

Температура олру>н:аю1цей среды Гоцр,°С

Рис. 9. Типичная зависимость изменения эффе.стивного времени жизни х от прямого тока и температуры окружающей среды (для всех типов диодов).

1> Ко W. Н. The Reverse Transient Behavior of Semiconductor Junction Diodes* IRE Transitions, ED 8 march 1961, 123-131.

Рис. 10. Кривая для определения времени обратного восстановления при различный условиях возбуждения (для всех типов диодоо)

/обр i np (пунктирная линия) Масштаб горизонтальной оси определяется отно-<ем ih, отсюда следует, что t-,1b т Для того чтобы оценить величину fg.

h от шением

следует провести вниз линию, параллельную основному контуру графика до пересечения с горизонтальной линией /обр 2/пр=5/25=0,2 Итак, полное время переключения составляет 0,46 т Время задержки /g равно 0,46 т-0,28 т=0,18 т Значение, приведенное в паспортных данных, следует скорректировать в соответствии с уровнем тока На рис 9 показано типичное изменение эффективного времени жизни при изменении прямого тока Уровень тока в примере составляет 25 мА, максимальное эффективное время жизни приблизительно равно (6,8)Х (1, 35), или 9,2 не, следовательно,

(аж9,2 0,28;=!2,6 tc (макс),

<6 (9,2).(0,18)wl,7 НС (макс).

Полное время обратного восстановления составляет я* 4,3 не (макс )

Дополнительную информацию по этому методу определения времени восстановления диода можно найти в работе С Н Chen, Predicting Reverse, Recovery Time of High Speed Semiconductor Junction Diodes (номер издания 90 36).

Кремниевые я-я-транзисторы типа ANNULARE*

. . предназначены для ключевых схем общего назначения, усилительных схем н дли использования в комплементарных схемах совместно с р-п-;р-транзнсторами THna2N4402 н 2N4403.

Полупроводниковые элементы типа Annular запатентованы фирмой Motorola,

, Высокое предельное напряжение - пробивное 1/кэо=40 В (мин.). , Усиление по току определяется в предетах от 0,1 до 500 мА. , Низкое напряжение насыщения

fy,j3 , э^ 1 = 0,4 В (макс.) при / =150 мА.

, Полный перечень переключательных и усилительных характеристин. . Литой корпус типа Injection - Molded Umbloc

Предельно допустимые значения

Торговый знак фирмы Motorola Inc.

Электрнческие характеристики

(Гокр = 25*С, если не указано иное)

Характеристики включенного транзистора

Продолжение

Продолжение

* Параметры импульса при измерении; длительность импульса < 300 мкс, рабочий Цикл < 2% ).

*) Величина, обратная скважности т. е. отношение длительности импульса к его периоду. -. Прим. ред.

2N4400

2N4401

Кремниевые переключательные и усилительные п-р-л-транзис-торы; август 1966 - DS 5198

3 Б К

Вывоцы монтировать а отаер-стие диаметром 0,016/0,019 (imr

0.045

1 - плоский D-образный корпус для обеспечения монтажа на печатной плате; 2 - прочный, литой, высокотемпературный, прессованный, влагоустойчивый пластмассовый корпус; 3 расположение выводов легко приспосабливается к стандартному кругу выводов ТО-18; -овальные позолоченные выводы длиной 19/32 дюйма позволяют надежно паять соединение.

. 0.005 0,095 0,055

4 0,045 0,055

0,095 Схема ТО-92,