Дймеолы отклоняющих пластин очень похожи на обозначеиия кондеиса-в постоянной емкости, только обкладки у них короче и отстоят одна от о& несколько дальше (рнс. 113,яс).

1*Р^ р приемных телешоганонных трубках - кинескопах - ишольауют электро-utgoe отхлоскэтие луча с помощью двух пар катушек (строчных н каа- их) помещаемых на горловине трубки. При 1фохождееии череэ этн катуш-т^лоняющнх токов пилообразной фсы в ггфлоиине тру<$кн создаются *gg0ta перпецпикулярные магнитные поля, которые и отклопяют электронный в горизонтальном и вертикальном направлениях Кадровые и строчные ка-JZmi такой отклоняющей системы обозначают одинаково - в виде катушек двух полуокружностей, располагаемых напроти^в того места, где в ЭЛТ с ,.чектростзткчвоким отклонением луча изображают оталадяющие пластины (рис.-ПЗ,э).

В качестве примера постровиня условных графических обозначений элект-Р^дао-лучевых прибежищ на рее. 1\4 показано обоэиаченпе тилячного черао-ого кинескопа с элект^юстатической фокусщювиой и электромапштвым от-щояениеи луча. Обоэмачекие цвелюго кинескопа, содержащего тройное коми-яект подогретых (сзтодо , модулятсв и усксякнцвх электродов, строят аналогично, увелитав символ баллона до нужного размера (рнс. 144,6).

Иойные приборы, как, впрочем, и электронные лампы, с каждым годом пришеняют все реже, поэтому коротко остано1ви1Мся лишь на некоторых из них.

Для визуальной индикации цифровой и буквенной шформацни используют ищнкаторные лампы тлеющего разряда. Их катоды, имеющие вод. знака нли символа, расположены в нахюлненном неоном баллоне о(дии за другим (пакетом), а атд выпоишен в вяяе тонкой сетжи, не мешающей наблюдению зичков Форма катодов и вх размены выбраны так, чтобы озфры и буквы, расположенные сзади, nepcKpHBajracb в мшюмальвой стеаенн. При подаче напряжения между анодом и выбранным с помощью спец.иального эл№трокно-го коммутатора катодом вокруг катода возникает тлеющий разряд, свечение хогорого повторяет форму катода

Условное обозначение цифрового индикатора тлеющего раз.ряда состокг кз оимеола баллона ионного прибора овальной формы, сшовола ааола и нескольких сим'волое катодов, рядом с которыми указаны индицируемые ими цифры (рис. И5). В целях упрощения допускается изображать не все катоды.

2) 3

В. Фролов

Ркс. 115

т

а только первые два и последвдй, заменяя отсутствующие штриховой линией и в подобном случае обозначает то же, что и выражение и т. д. ),

В фотовспышках, широко используемых при фотографировании в услоша недостаточной освещешюста, приакинюг газоразрядчые импульсные лампы. Услшные обозначения таких приборов строят из сим1волов баллона, аноаа. хо-.юдного катода (или комбинированного электрода, кгк в неоновой лаатте - см. ро*с. 105) н ноджйгющего электрода (линия с изломом на конце). Кроме того, а иентре символа баллона помешают зна^х спектра алучйния (йидп-мое излучение - нрнмэй креотвдс), а cnpaisa от него ~ ааяу, две или три точки, обданачаюшне в данном случае не только газовое наполиввяе, по давление (одна точка - низкое, две - высокое, три - сверхвысокое), <а-рактер излучения показывают знаком, упрощенно воспроиввоцящим осциллограмму имшульса. Для г^жнера иа рис. 116,а приведено условное обозна чс те импульсной газоразрядной лампы низкого давления с простыми электродам и внешним поджигай, а на рис М6,б - подобного прибора высокого давлен ;я с комбинированными электродами и внутренним поджигои.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Полупро(водш*мовые прнборы применялись в радиотехнике еще до изобретения электронных ламп. Изобретатель радно А. С. Попов использовал для обнаружения электромагнитных волн внача-эе когерер (стыаляиную трубку с металлическими опилкаш)), а затем контакт стальной иглы с угольным электродом. Это был первый полупрсводниковый диод - детектор. Позже были созданы детекторы с иопольэованнем естественных и искусственных кристаллических полупроводников (галена, цинкита, халькопирита и т. д.). Такой детектор состоял из кристалла полупроводника, впаяииого в чангечку-дер-жатель, и стальной или вольфрамовой пружинки с заостренным концом (рис-117). Положение острия на кристалле находили опытным путем, добиваясь наибольшей громкости передачи радиостанции.

В 1922 г. оотруднгак Нижегородской радиола|боратор01И О. В. Лосев обнаружил замечательное явленне: кристаллический детектор, оказывается, может генерировать н уоиливаггь электрические колебания. Это было настоящей сенсацией, но недостаточность научных познаний, отсутствие нужного экспериментального оборудования не позволили в то время глубоко исследовать суть процессов, пронсходящнх в полупроводнике, и создать полупроводниковые приборы, способные конкурировать с электронной лампой. Первый полупровощннкавый трех-

Индий

Германий типар

ряс. 7

Рнс. 118

Германий V 7 типа п J 1

электродный прибор, получивший название транзистор (от английских слов (i-an(sfer) - переносить и (re)sistor - сопротивление), был создан в 1948 г.

Что же пре^стааляют собой полупроводнш>и, являющиеся основой всех приборов этото класса? Известно, что проводниками называют матерналы, обладающие прн комнатной температуре удельные сопротнвление!м менее 0,001 Ом-см. Диэлектрики при этой же температуре имеют удельное сопротивление вт до Омом. К полупроводникам относят материалы, обладающем удельным сопротивлением от 10-... 10 до Ю'.-Ю' Ом-см. Как это ни покажется удивительным, но число полупроводников, известных в настоящее время, намного превьииает число лроводдаксж и двэлектрмков.

Однако не всякий полупровоъдник пригоден для изготовления полупроводниковых приборов, а только очень чистый. Всего один атом примеси на 10 млрд атомов основного вещества можно допустить в исходном материале, ииаче качество полулртодвжювого прибора будет нпвпнм. Для изготовления полупроводникового прибора необходимо также, чтобы полу-проводник обладал определенной примесной проводимостью. С этой целью в чистый исходный материал, вапрпшер германий, вводят строго определенное кошмесТ'Во примеси. Если хотят получить электронную проводимость, т. е. полупроводник, в котором в качестве переносчиков зарядов будут служить электроны, в него вводят так называемые дшюрные вещества, например сурьму, мышьяк, фосфор Для получения полупроводника с дырояной электропроводностью (в качестве переносчиков зарядов выступают атомы с утраченными электретами) добавляют так называемые акцепторные вещества (индий, бор, алюминий). Примеси вводят в очень неболыних количествах - нэ расчета 1 атом примеси на 10... -.. 100 млн атомов основного вещества.

Полупроводники с электронной электропроводностью называют полупроводниками типа п (от лат. negativus - отрицательный), с дырочной - тма р (от лат positivus - положительный).

Контакт полупроводников с разными типами электропроводности называют р-п переходом (рве !18,а). Основным свойством р-п перехода является его Односторонняя проводимость (в направлении от области р к области п). Поэтому простейшие полупроводниковые приборы - диоды, состоящие из одного Р-п перехода, широко применяют для выпрямления переменного тота и детектирования модулированных сигналов.

лолулроводнншише дноаы oQq

значают символом, сохранившиь^с^ в общих чертах со времен лерау^ радиоприемников (рис 1)8,6) Вер шина треугольника в этом символ указывает направление наибольше]; проводимости (треугольник chmboi зирует анод диода, а короткая чер точка, перпендикулярная линиям в водам, - его катод). Этим же сим волом обозначают полупроводиико вые выифамнтели, состоящие, например, из неокольнях последспательно, пара.7 лельно или смешанно соединенных диодов (выпрямительные столбы и т nj.

Для питания радиоаппаратуры часто используют мостовые выпрямители Начертание т-амой схемы соединения диодш (квадрат, стороны которого об разованы символами диодов) давно уже стало общепринктьвм, поэтому обозначения т-аких вьтрнмктелей стали иопольэовать лрощешый chvisoa квадрат с символом одного диода внутри (рм, 119). В завноьмосги о> энаы НИИ выпрямленчого напряжения каждое плечо моста может состоять нз одг го, двух и более диодов Полярность вылрямлешого налрижепия ял схема не указыл;аю1Т, так как ее оАНОина'чко сифШеляет ошвол диода внутри квад рата Мосты, ксиструктввно объединенные в одном wopiiyce, изображают от дельно, помазывая прииадлежноогь к оюдачу изделию в поэит№ониом обюиа чешви (рис. 120, VDUl, VDi2) Рядом с поаишюнным обозмачением днощоп как и всех других полупроводниковых приборов, как правило, уогазыоэак}-и x теп.

На основе сз]мвола диода построены условные обозначении полупровод никсжых диодов с особыми свойстваим Для получения нужного символа не пользуют спещшьные знаки, изображаемые либо иа самом базовом снива! либо в непосредственной близости от него, а чтобы акцентировать внимание на и№]ггорых из них, базовый символ помещают в 1фуг - условт обоаиа чение корпуса полупроводникового прибора

Туннельные диоды. Знаком, напоминающим прямую скобку, обозначают катод туннельных д[юдов (рис 121,о). Их изготовляют нэ палунровощниповых материалов с очень большим содержамиен примеси, в реаультате чего пои^ проводник превращается* в полуметалл Благодаря необычной форме вольт амперной характтспихи (на ней имеется участок отрицатель)кмч> солротив леиия) туннельные диоды испол^уют для усиления и генерирования электри ческнх с| гналов и в переключающих устройствах Важным достоинсшом этих

Рк. 120

6в

25 It

РИС 121

Рис. 122

д[*одов является то, что они л-огут ра&)тать на очень высоких частотах (до 10 Г )

Разновидность туннельных дяодов - обращенные диоды, у которых прн чалоч напряжении н р п переходе проводимость в обратном налравленш больше, чем в прямом Используют такие диоды в обратном включении В ус ловном обозначении обращенного диода черточку-катод изображают с двумя ытрихами, каса1Ьщимнся № своей серединой (рнс 121,6)

Стабнлы1роны. Прочное место в источниках питания, особенно низко зольтных, завоевали полупрозоаниковые стабилитроны, работающие также на обратной ветви вольт амперной характеристики Это плоскостные кремниевые диоды, изготовленные по особой технологии При включении их в обратном яаправлеиии в ооределвийом напряжении на переходе последний пробивается , и в дальнейщем, несмотря на увеличение тока через переход напряжение на нем остается почта неизменным Благодаря этому свойству стабилитроны широко применяют в качестве самостоятельных стабилизирующих элвменггов а также источников образцовых напряжений в стабилизаторах на транзисторах Для получения малых образцовых напряжений стабилитроны включают в прямом направлении, при этом напряжение стабилизации одного стабилитрона равно 0,7 0,8 В Такие же результаты получаются прн включении в прямом аправ.1еинн обычных кремниевых диодов

Для стабилизации низких напряжений разработаны и щнроко применяются специальные полупроводниковые диоды - стабнсторы Отлнчие их от ста бнлитронов в том, что они работают иа прямой ветви вольт амперной характеристики, т е при включении в прямом (проводящем) направлении

Чтобы показать на схеме стабилитрон, черточку/катод базового символа дополняют коротким штрихом, направленным в сторону символа анода (рис 122,а) Следует отметить, что расположение штриха относительно символа анода должно быть неизменным независимо от положения условного обоэна чения стабилитрона на схеме Это в полной мере относктся и к символу двух анодного (двустороннего) стабилитрона (рис 122,6), который можно включай в электрическую цепь в любом направлении (по сути, это два встречно включенных одинаковых стабилитрона)

Варикапы. Электронко-дырочный переход, к которому приложено обратное вапряжение, обладает свойствами всжденсатора При этом роль диэлектрика играет сам р п переход, в котором свободных носителей зарядов мало, а роль обкладок - прилежащие слон полупроводника с электрическими заряяанк разного знака - электронами и дырками. Изменяя налряжение, приложенное

n переходу, можно изменять его толщину, а следовательно, и емкость ду слоами полупроводника Это яэлемне иопольэовано в специальных по проводниковых приборах - варикапах [от английских слов vari(abte) -- щ ременный и cap(acitor) - конденсатор] Их широко применяют для настрой^;, колебательных контуров, в устройствах автоматической подстройки частоты, j также в качестве частотных мод>ляторов в различных генераторах

Условное графическое обозначение варикапа (см рис 123,а) натлцзно щ ражает их суть две паралле1ьные черточки воспринимаются как сичвсщ конденсатора Как и конденсаторы переменной емкости, варикапы часто изпо товляют в виде блоков (их называют матрицами) с общим катодом и раз дельными анодами Для примера на рнс 123.6 показано о№значе ие матрицы из двух варикапов, а на рис 123 й - из трех

Тиристоры. На основе базового символа диода построены и условные обозначения тиристоров (от греческого tfiyra - дверь и английского (resi)stor - резистор) Это диоды, представляющие собой чередующиеся сюл кремния с электропро&одиостью типов р и п Таких слоев в тиристоре четы ре, т е он имеет три рп перехода (структура р п-р п) Тирнсторч ьаштр широкое примененг(е в различных регуляторах переменного напряжения, в ре лаксационных генераторах, коммутирующих /стройствах и т д

Тиристоры с сыводамч -только от крайних слоев структуры называют ди нисторами н обозначают (лмаолом диода, перечеркнутым отрезком линии, па раллсзьной черточке катоду (рис !24,а) Такой же прием использован и при построении обозначения симметричного дниистора (рис 124 6), проводящего ток (после включения) в обоих направлениях

Тиристоры с дополнительным (третьим) выводом (от одного из внутрен них слоев структуры) называют тринисторачи Управление по катоду в обсв качении этих приборов показывают лома1Н>ой линией, присоединенной к симво лу катода (рис 124,в), по аноду - линией, продолжающей ойну из сторон треугольиика, оичволиаирующего анод (рис 124,г) Условное обозначение сим метричното (двунаправленного) триннстора получают нз символа оимметрич ного дниистора добав.1ением третьего вывода (рис 124.д)

Фотодиоды. Основной частью фотодиода является переход, работающий при обратном смещении В его корпусе имеется окошко, через которое освещается кристалл полупроводника В отсутствие света ток через р п переход

риь мал - не превышает обратного тчиса обычное диода При оовещенмн кристалла обратное сопротягвлевие перехода резко падает, ток через него рас Чтобы показать такой полулроводмиковый диод иа схеме, базовый символ диодз 1Н>мещают в кружок, а рядом с ним (слева сверху, независимо от по-ения символа) изображают Я1ак фотоэлектрнческшо эффекта - две наклонные параллельные стрелки, направленные в сторону стюола (рис 125а). Подобным образом нетрудно построить н условное обозначение любого дру 0 полупроводимкооого прибора, изменяющт> свои свойспва под действием оптического излучения В качестве примера на рис 125,6 показано обозначение фогодинистора

Светодноды и светодиодные индикаторы. Полупроводниковые дноды, иэлу чэюшие свет прн прохожденин тока через р п переход, называют светодио дзми Вк-1ючают такие диоды в прямом напранленни Условное графическое обозначение светодиода похоже на аимвол фотодиода и отличается от него тем, что стрелкр, обозначающие оптическое излучение, помещены справа от кружка н направлены в прошвоположиую сторсну (рис 126)

Для отображения цифр букв и других знаков в низковольтной аппара туре часто применяют светодиодные ]зк0вые индикаторы, представляющие собой наб'ры cBeT0KjJij4aKJisi,Kx кристаллов, расположенных определенным об разом и залитых прозрачной пластмассой Условных обозначений для подоб ных из!делий стандарты ЕСКД не предусматривают, но на практике часто попользуют символы подобные показанному на рнс 127 ( (нвол свчисе11Чй1Т кого индикаторе для отображения цифр и запятой) Как видно, такое графн ческое обозчаченче наглядно отражает 1реа1Лвное расположение светоиэлу чакнцих -элементов (сегментов) в индикаторе, хотя и не лишено недостатка оно ч несет информации о полярности включения выводов индикатора в элект [ннеисую цепь (индикаторы вьшускают как с общим для всех сегментов выводом анода, так и с общим выводом катода) Однако особых затруднений это обычно не вьюывает, поюкольку подключение общего вывода индикатора (как, впрочья, и микросхем) оговаривают на схеме

Оптроны. Светоизлучающие кристаллы широко используют в оптронах - шрещнальиых приб(ах, применяемых для связи отдельных частей электронных устройств в тех случаях, когда необходима их гальваническая развязка На схемах оцтроиы изображают, как показано на рис 128 Оптическую связь излу чателя света (светодиода) с фотоприемником показывают двумя параллельны ми стрелками, перпендикулярными линиям выводам оптрона Фотоприемником

4fW- ®

Рис. 126

Рнс 125

M6!MCS24S

Рис. 127

Рис. 12S

в оптроне могут быть ве только фотодиод (рв*с. 128,а) но н фоторезистор (psfc. 128,6), фотоишнистюр (4ШС. 128,д) к т. д. Взанмная ориентация симво.1ов излучателя И фатоприеннжа не реглане<1тируется.

При необходимости составные части оптрона допускается изобрк жать раздельно, но в этом случае знак оптической связи следует заменить знвшми оптшеского излучения и фотоэффекта, а принадлежность частей к оптрону показать в позиционном обсоначетш (рис. 12S,a).

Транзисторы -~ полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, геиер рова<№я и преобразовання электрических колебашгй. Наиболее рас пространены так называемые биполярные транзисторы. Их основа - пластинка монокрнсталлнчеокого полупроводника (чаще всего кремиля или германия), в кот<й с помощью особых технологических приемов ооаданы, как минимум, три области с разной электропроводностью: эмиттер, база и коллектор. Элект-ропрощодяость эмиттера н коллектора всегда одинаковая (р нли п), базы - противоположная (п или р). Иными словами, биполярный транзистор (далее просто транзистор) содержит jaa р-п перехода: один из них ооединяет базу с эмиттером (эмнттерный переход), другой - с коллектором (коллекторный переход).

На схемах транзисторы обозначают, как показано на рис. 129,о. Здесь короткая черточка с линией-вы водом от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ней под углом 60 , - эмиттер н коллектор. Об электропровощностн базы судят по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе (рнс. 129,а), то это означает, эмиттер имеет электропроводность типа р, а база - типа п; если же стрелка направлена в противоположную сторону (рис. 129,6), электропроеодность эмиттера и базы - обратная (соответственно пир). Поскольку, как уже отмечалась, электропроводность коллектора та жл, что и эмиттера, стрелку на символе коллектора не изобра-жают.

Рис, 29

Зйать электропроводность эмиттера, базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транаистор к источнику питания. В спра-вочимках эту информацию приводят в виде структурной формулы Транзистор, база которого имеет проаодямость типа п, обозначают фоивудой р-п-р, а тран-. jHCTop с базой, имеющей электропроводность ткла р, - формулой п-р-п. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное (по от-кошенкю к эмиттеру) напряжеиие, во втором - положительное.

Для наглядностл условное обозначение транзистора обычно помещают в кружок, снмволлвирующнй его юорпус. Корпус нередко иэготгаляютвз металла и соединяют с одним из вывсщов транзистора. На схемах это показывают точкой в месте пересечения лишн-вывода с ои1волои корпуса (у транзистора, изображенного на рис. 129,9, с корпусом соединен вывод 1 >ллектора). Еслн же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки (pwd. 129,г). С целью повышения информатаввости схем рядом с позиционным обозначением транзистора обычно указывают его тип.

Линии-выводы, идущие от символов эмиттера и коллектора, проводят в одном иэ двух направлений: перпеддикуля1ию или параллельно лиини-вьтоду базы (рис. ]29,д). Излом этой линия допускается лишь на некот<ом расхтояани от символа корпуса (рис 129,е).

Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей (эмиттеров). В этом случае сим1Волы эмиттеров обычно изображают с одной ст01роны символа базы, а кружок-корпую заменяют овалом (рис. 129,ж).

В некоторых случаях ГСЮТ 2.730-73 допускает изображать транзисторы и бехсимвола корпуса, например при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в так наэы-ааомые трзизнстсрные сборки или матрицы {их выпускают в тех же корпусах, что и Ш1тегральные микросхемы). Поскольку буквенный код VT предусмотрен Для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельных приборов, Транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: либо используют код VT и присваивают им порядковые номера наряду с другими транзисторами (в этом случае на поле схемы помещают такую, на.пример, запись: VT1-VT4 К1НТ251), либо берут код аналоговых микросхем DA и указывают принадлежность транзисторов к матрице в познциониом обозначении (рис.

л A 7.2

\JIU

Рнс. 130

130,a) У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условные номе ра, присвоенные выводам корпуса, в котором вылолнона сборка

Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых \ цифровых микросхем (для прнэ1 а иа рис 130,6 показаны транз№торы струк туры п р п-с тремя и четырьмя эмиттерами)

Условные графические обозначения некоторых разновидностей йиполярьм> транэисторон получают введением в основной символ счециальных знаков TaiK чтобы изобразить лавинный тоанзистор. между си/мволани эмиттера и Kvi лектора помещают знак эффекта лавинною пробоя (ри 131,а) При пошрш* условного обозначения положение этого знака должно оставаться ьеиаменны'м

Иначе построено обоэн.чен^е так чазывоеыого одаюпереходного транзнс тора У него один р п переход, но два выиода базы Символ эмиттера в обоз качении этого транзистора проводят к середине символа баы (рис 131,6) 01 электропроводности базы судят по символу эмиттера (все сказанное ранее с траиэ>ист(>ах с двумя р-п переходами полиостью применимо н к отнопсрехон. иону транзистору)

На обозначение одншереходиого транзистора похоже условиое обозвач<. ние довольно большой группы транзисторов с р п перехо(дом, получию-ши)! название полевых Основа такого транзистора - созданный в полупровощшис я снабженный двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью п нл р гшга Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, со единенный с его средней частью> р п переходом Квнал полевого транзистора изображают так же, как и базу биполярного тра1наистора, но помещают в сред ней части кружка-корпуса (рис 132,а), символы истока и стока присоединяют к нему с одшЛ стороны, затвора - с другой Чтобы не вводить каких-либо знаков для различения символов истока и стока, затвор изображают на про долженин линин истока Электропроводность канала указывают стрелкой нэ символе затвора (на рис 132,а изображен транзистор с каналом п Twod, а на рис 132,6 - с каналом р типа)

База /

иже

База 2

Рм. 131

Рнс 132